| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
KM416RD8AS-RBM80 bảng dữ liệu(PDF) 55 Page - Samsung semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
KM416RD8AS-RBM80 bảng dữ liệu(HTML) 55 Page - Samsung semiconductor |
|
55 / 64 page ![]() Page 52 KM416RD8AS Direct RDRAM™ Rev. 0.9July 1999 Target CMOS - Transmit Timing Figure 58 is a timing diagram which shows the detailed requirements for the CMOS output signals. The SIO0 signal is driven once per tCYCLE1 interval on the falling edge. The clock-to-output window is tQ1,MIN/tQ1,MAX. The SCK and SIO0 timing points are measured at the 50% level. The rise and fall times of SIO0 are tQR1 and tQF1, measured at the 20% and 80% levels. Figure 58: CMOS Timing - Data Signals for Transmit VIH,CMOS 50% VIL,CMOS 80% 20% SCK SIO0 tQR1 tQF1 VOH,CMOS 50% VOL,CMOS 80% 20% tQ1,MAX VIH,CMOS 50% VIL,CMOS 80% 20% tQ1,MIN VOH,CMOS 50% VOL,CMOS 80% 20% SIO0 tDR1 tDF1 tQR1 tQF1 tPROP1,MAX tPROP1,MIN or SIO1 SIO1 or SIO0 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |