| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN4192 bảng dữ liệu(PDF) 36 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4192 bảng dữ liệu(HTML) 36 Page - STMicroelectronics |
|
36 / 47 page ![]() Low-side FET selection AN4192 36/47 Doc ID 023820 Rev 1 Figure 44. 1 x LS vs. 2 x LS (LS G-S ringing improvement) The conspicuous reduction of the LS gate-source bouncing (especially for the high frequency oscillation after the first spike) provided by the increased COSS is obtained also using a bigger die size LS device, as shown in Figure 45 (light green trace: LS1, dark green trace: LS2). Figure 45. LS gate-source bouncing reduction for bigger die size LS FETs AM16487V1 AM16488V1 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |