| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN4192 bảng dữ liệu(PDF) 19 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4192 bảng dữ liệu(HTML) 19 Page - STMicroelectronics |
|
19 / 47 page ![]() AN4192 High-side MOSFET selection Doc ID 023820 Rev 1 19/47 Figure 20. Efficiency comparison @ Vout = 1.26 V The “asymmetric gate driving” approach can be used to reduce voltage stresses on the phase node without detrimental effects on the converter efficiency. The drawbacks are the number of devices (one resistor + one Schottky diode) and the cost increase. AM16464V1 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |