| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NX138BKS bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NX138BKS bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
1 / 15 page ![]() NX138BKS 60 V, dual N-channel Trench MOSFET 15 June 2016 Product data sheet 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM 3. Applications • Relay driver • High-speed line driver • Low-side loadswitch • Switching circuits 4. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Per transistor VDS drain-source voltage - - 60 V VGS gate-source voltage Tj = 25 °C -20 - 20 V ID drain current VGS = 10 V; Tamb = 25 °C [1] - - 210 mA Static characteristics (per transistor) RDSon drain-source on-state resistance VGS = 10 V; ID = 200 mA; Tj = 25 °C - 2.1 3.5 Ω [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and mounting pad for drain 1 cm2. |
Số phần tương tự - NX138BKS |
|
Mô tả tương tự - NX138BKS |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |