công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

NX138BKS bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Nexperia B.V. All rights reserved

tên linh kiện NX138BKS
Giải thích chi tiết về linh kiện  60 V, dual N-channel Trench MOSFET
PDF  15 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  NEXPERIA [Nexperia B.V. All rights reserved]
Trang chủ  https://www.nexperia.com/
Logo NEXPERIA - Nexperia B.V. All rights reserved

NX138BKS bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Nexperia B.V. All rights reserved

Back Button NX138BKS Datasheet HTML 3Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 4Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 5Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 6Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 7Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 8Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 9Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 10Page - Nexperia B.V. All rights reserved NX138BKS Datasheet HTML 11Page - Nexperia B.V. All rights reserved Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 7 / 15 page
background image
© Nexperia B.V. 2017. All rights reserved
Nexperia
NX138BKS
60 V, dual N-channel Trench MOSFET
NX138BKS
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Product data sheet
15 June 2016
7 / 15
VDS (V)
0
1
2
3
4
5
aaa-023332
0.8
ID
(A)
0
0.6
0.4
0.2
1.8 V
2.5 V
2.2 V
2.0 V
VGS = 10 V
4.5 V
3.5 V
Tj = 25 °C
Fig. 6. Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
aaa-023333
VGS (V)
0
0.5
1
1.5
2
10-4
10-5
10-3
ID
(A)
10-6
min
typ
max
VDS = 5 V
Tj = 25 °C
Fig. 7. Sub-threshold drain current as a function of gate-
source voltage
ID (A)
0
0.8
0.2
0.4
0.6
aaa-023334
8
RDSon
(Ω)
0
6
4
2
2.0 V
1.8 V
2.2 V
2.5 V
VGS = 10 V
4.5 V
3 V
Tj = 25 °C
Fig. 8. Drain-source on-state resistance as a function of
drain current; typical values
VGS (V)
0
10
5
aaa-023335
8
RDSon
(Ω)
0
1
2
3
4
5
6
7
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
ID = 0.2 A
Fig. 9. Drain-source on-state resistance as a function of
gate-source voltage; typical values



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com