| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MYX29GL01GS11DPIV2 bảng dữ liệu(PDF) 61 Page - Micross Components |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MYX29GL01GS11DPIV2 bảng dữ liệu(HTML) 61 Page - Micross Components |
|
61 / 68 page ![]() MYX29GL01GS11DPIV2 Revision 1.0 - 01/26/2015 *Advanced information. Subject to change without notice. 61 1Gb GL-S MirrorBit® Eclipse™ Flash Memory MYX29GL01GS11DPIV2* Form #: CSI-D-685 Document 001 Table 25: Erase/Program Operations Parameter Description VIO = 2.7V to VCC VIO = 1.65V to VCC Unit JEDEC Std tWHWH1 tWHWH1 Write Buffer Program Operation Typ Note 3 μs Effective Write Buffer Program Operation per Word Typ Note 3 μs Program Operation per Word or Page Typ Note 3 μs tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation1 Typ Note 3 ms tBUSY Erase/Program Valid to RY/BY# Delay Max 80 ns tSR/W Latency between Read and Write operations2 Min 10 ns tESL Erase Suspend Latency Max Note 3 μs tPSL Program Suspend Latency Max Note 3 μs tRB RY/BY# Recovery Time Min 0 μs Notes: 1. Not100%tested. 2. UpontherisingedgeofWE#,mustwaittSR/Wbeforeswitchingtoanotheraddress. 3. SeeTable6:EmbeddedAlgorithmCharacteristics(-40°Cto+85°C)(page27)forspecificvalues. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |