| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM8AL31E8X bảng dữ liệu(PDF) 73 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM8AL31E8X bảng dữ liệu(HTML) 73 Page - STMicroelectronics |
|
73 / 133 page ![]() DocID027180 Rev 5 73/133 STM8AL31E8x STM8AL3LE8x Electrical parameters 119 Figure 13. Typical IDD(RUN) from RAM vs. VDD (HSI clock source), fCPU =16 MHz(1) 1. Typical current consumption measured with code executed from RAM. 1. CPU executing typical data processing 2. The run from RAM consumption is approximated with the linear formula: IDD(run_from_RAM) = Freq. * 95 µA/MHz + 250 µA 3. Guaranteed by characterization results. 4. Oscillator bypassed (HSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for external crystal, the HSE consumption (IDD HSE) must be added. Refer to Table 32. 5. The run from Flash consumption is approximated with the linear formula: IDD(run_from_Flash) = Freq. * 200 µA/MHz + 330 µA 6. Oscillator bypassed (LSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for external crystal, the LSE consumption (IDD LSE) must be added. Refer to Table 33 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |