| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM8AL3188TCX bảng dữ liệu(PDF) 77 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM8AL3188TCX bảng dữ liệu(HTML) 77 Page - STMicroelectronics |
|
77 / 131 page ![]() DocID027179 Rev 6 77/131 STM8AL318x STM8AL3L8x Electrical parameters 117 Figure 18. Typical IDD(LPW) vs. VDD (LSI clock source), all peripherals OFF(1) 1. Typical current consumption measured with code executed from RAM. Table 24. Total current consumption in low-power wait mode at VDD = 1.65 V to 3.6 V Symbol Parameter Conditions(1) Typ. Max. Unit IDD(LPW) Supply current in low-power wait mode LSI RC osc. (at 38 kHz) all peripherals OFF TA = -40 °C to 25 °C 3.00 3.30(2) μA TA = 85 °C 4.40 9.00(3) TA = 125 °C 11.00 18.00(3) LSE external clock(4) (32.768 kHz) TA = -40 °C to 25 °C 2.35 2.70(2) TA = 85 °C 3.10 3.70(2) TA = 125 °C 12.0 14.0(2) 1. No floating I/Os. 2. Guaranteed by characterization results. 3. Tested at 85°C for temperature range A or 125°C for temperature range C. 4. Oscillator bypassed (LSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for external crystal, the LSE consumption (IDD LSE) must be added. Refer to Table 33. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |