| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN4337 bảng dữ liệu(PDF) 12 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4337 bảng dữ liệu(HTML) 12 Page - STMicroelectronics |
|
12 / 14 page ![]() Conclusions AN4337 12/14 DocID025012 Rev 1 4 Conclusions Understanding how to approach a voltage overshoot which exceeds the V(BR)DSS absolute maximum rating is the key to designing reliable and, consequently, safe MOSFETs. The example in this paper provides step-by-step guidelines on how to obtain the safety margin in terms of IAR and EAS specifications when a MOSFET functions in a flyback converter. In particular, this example suggests that a MOSFET device is safe if the avalanche energy is lower than the EAS datasheet specification and the avalanche current is lower than the IAR absolute maximum rating; vice versa, a MOSFET is certainly safe if the maximum avalanche current is lower than IAR. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |