 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN4337 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4337 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
1 / 14 page  June 2014 DocID025012 Rev 1 1/14 AN4337 Application note The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters By Vittorio Giuffrida Introduction Generally, power MOSFETs are considered rugged with respect to the avalanche phenomenon, however, the quantification of the level of ruggedness depends on the IAR avalanche current and EAS avalanche energy. These two parameters determine the capacity of a MOSFET to be safe during the avalanche. This paper explores the theory of the avalanche effect in a flyback converter, in order to understand how the IAR and EAS parameters affect MOSFET operation and, consequently, how to manage a voltage overshoot higher than the V(BR)DSS absolute maximum rating. www.st.com |
Số phần tương tự - AN4337 |
|
Mô tả tương tự - AN4337 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
