| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NAND512R3A2C bảng dữ liệu(PDF) 46 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NAND512R3A2C bảng dữ liệu(HTML) 46 Page - STMicroelectronics |
|
46 / 51 page ![]() DC and AC parameters NAND512-A2C 46/51 Figure 30. Resistor value versus waveform timings for Ready/Busy signal 1. T = 25°C. 10.2 Data Protection The ST NAND device is designed to guarantee Data Protection during Power Transitions. A VDD detection circuit disables all NAND operations, if VDD is below the VLKO threshold. In the VDD range from VLKO to the lower limit of nominal range, the WP pin should be kept low (VIL) to guarantee hardware protection during power transitions as shown in the below figure. Figure 31. Data Protection ai07565B RP (KΩ) 12 3 4 100 300 200 1 2 3 1.7 0.85 30 1.7 1.7 1.7 1.7 tr tf ibusy 0 400 4 RP (KΩ) 12 3 4 100 300 200 1 2 3 2.4 1.2 0.8 0.6 100 200 300 400 3.6 3.6 3.6 3.6 0 400 4 VDD = 1.8V, CL = 30pF VDD = 3.3V, CL = 100pF 60 90 120 0.57 0.43 Ai13188 VLKO VDD WP Nominal Range Locked Locked |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |