| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NVMJS1D7N04C bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NVMJS1D7N04C bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - ON Semiconductor |
|
4 / 7 page ![]() NVMJS1D7N04C www.onsemi.com 4 TYPICAL CHARACTERISTICS 1 10 100 1000 1 10 100 Figure 7. Capacitance Variation Figure 8. Gate−to−Source Voltage vs. Charge VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V) QG, GATE CHARGE (nC) Figure 9. Resistive Switching Time Variation vs. Gate Resistance Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current RG, GATE RESISTANCE (W) VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V) Figure 11. Safe Operating Area Figure 12. IPEAK vs. Time in Avalanche VDS (V) TIME IN AVALANCHE (s) VGS = 0 V TJ = 25°C f = 1 MHz CISS COSS CRSS VDS = 20 V TJ = 25°C ID = 50 A QGS QGD VGS = 10 V VDS = 20 V ID = 50 A td(off) td(on) tf tr TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = −55°C TJ = 100°C TJ = 25°C RDS(on) Limit Thermal Limit Package Limit 500 ms 1 ms 10 ms TC = 25°C VGS ≤ 10 V Single Pulse 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1E−41E−310E−2 0 2 4 6 8 10 010 15 20 30 35 40 50 1.E+01 010 20 30 40 1 10 100 0.3 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 5 152535 1.E+02 1.E+03 1.E+04 525 45 1 3 5 7 9 0.4 TJ = 150°C VGS = 0 V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |