| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD25LB256DFIS bảng dữ liệu(PDF) 68 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD25LB256DFIS bảng dữ liệu(HTML) 68 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
68 / 79 page ![]() 1.8V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash GD25LB256D 68 8. ELECTRICAL CHARACTERISTICS 8.1. POWER-ON TIMING Vcc(max) Vcc(min) VWI tVSL Chip Selection is not allowed Device is fully accessible Time Table6. Power-Up Timing and Write Inhibit Threshold Symbol Parameter Min. Max. Unit tVSL VCC (min.) to device operation 2.5 ms VWI Write Inhibit Voltage 1 1.5 V 8.2. INITIAL DELIVERY STATE The device is delivered with the memory array erased: all bits are set to 1(each byte contains FFH).The Status Register bits are set to 0, except QE bit (S9) is set to 1. 8.3. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Value Unit Ambient Operating Temperature -40 to 85 ℃ Storage Temperature -65 to 150 ℃ Transient Input/Output Voltage (note: overshoot) -2.0 to VCC+2.0 V Applied Input/Output Voltage -0.6 to VCC+0.4 V VCC -0.6 to 2.5 V |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |