| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
WNM3032 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Will Semiconductor Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
WNM3032 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Will Semiconductor Ltd. |
|
5 / 8 page ![]() WNM3032 Will Semiconductor Ltd. 5 Capacitance 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 100 200 300 400 T J(MAX)=150 oC T A=25 oC Pulse width (S) Body diode forward voltage Safe operating power 0 . 2 0 . 4 0 . 6 0 . 8 1 . 0 2 4 6 8 10 V SD-Source to Drain Voltage (V) T=150 oC T=25 oC Single pulse power Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 400 800 1200 1600 2000 2400 Coss Crss Ciss V DS-Drain to Source Voltage (V) V GS=0V F=1MHz 0 10 20 30 40 0 2 4 6 8 10 Q g(nC) V GS=10V V DS=15V I D=9A 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2 4 6 8 10 V SD-Source to Drain Voltage (V) T=150 oC T=25 oC 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 1ms 10ms 100ms 1s 10s DC Limit by Rdson T A=25 oC Single Pulse V DS-Drain to Source Voltage(V) *V GS>minimum VGS at which RDS(ON) is specified 2018 - Rev.1.1 Jul. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |