| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F411CE bảng dữ liệu(PDF) 86 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F411CE bảng dữ liệu(HTML) 86 Page - STMicroelectronics |
|
86 / 149 page ![]() Electrical characteristics STM32F411xC STM32F411xE 86/149 DocID026289 Rev 6 Figure 25. Typical application with a 32.768 kHz crystal 6.3.9 Internal clock source characteristics The parameters given in Table 39 and Table 40 are derived from tests performed under ambient temperature and VDD supply voltage conditions summarized in Table 14. High-speed internal (HSI) RC oscillator L Table 39. HSI oscillator characteristics (1) 1. VDD = 3.3 V, TA = - 40 to 125 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit fHSI Frequency - 16 - MHz ACCHSI Accuracy of the HSI oscillator User-trimmed with the RCC_CR register(2) 2. Guaranteed by design. -- 1 % Factory- calibrated TA = - 40 to 125 °C(3) 3. Guaranteed by characterization results. - 8 - 5.5 TA = - 40 to 105 °C(3) - 8 - 4.5 % TA = - 10 to 85 °C(3) - 4 - 4 % TA = 25 °C(4) 4. Factory calibrated non-soldered parts. - 1 - 1 % tsu(HSI)(2) HSI oscillator startup time -2.2 4 µs IDD(HSI)(2) HSI oscillator power consumption -60 80 µA |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |