| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
201CHA390JSLE bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Hongfa Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
201CHA390JSLE bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Hongfa Technology |
|
2 / 8 page ![]() GaN Hybrid Power Amplifier HT0808-15A Korean Facilities : 82-31-8069-3036 / rfsales@rfhic.com All specifications may change without notice US Facility : 919-677-8780 / sales@rfhicusa.com 2 / 8 Version 1.0 Absolute Maximum Ratings PARAMETER UNIT RATING SYMBOL Gate-Source Voltage V -10 ~ 0 Vgs1 Vgs2 Drain-Source Voltage V 50 Vds Gate Current mA 5.7 Ig Operating Junction Temperature °C 225 TJ Operating Case Temperature °C -30 ~ 85 TC Storage Temperature °C -40 ~ 100 TSTG Maximum RF Input Level dBm 25 Pin Operating Voltage & Input Level PARAMETER UNIT MIN TYP MAX SYMBOL Drain Voltage V 27.5 28 28.5 Vds Gate Voltage (on-stage) V - -3 -2 Vgs 1 Gate Voltage (on-stage) V - -3 -2 Vgs 2 Gate Voltage (off-stage) V - -8 - Vgs 1 Gate Voltage (off-stage) V - -8 - Vgs 2 Idq1 mA 48.5 50 52.5 Idq1 Idq2 mA 100 105 110 Idq2 RF Input Level dBm - - 20 Pin Block Diagram GaN on SiC GaN on SiC |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |