 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
L9779WD bảng dữ liệu(PDF) 41 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L9779WD bảng dữ liệu(HTML) 41 Page - STMicroelectronics |
|
|
41 / 170 page  DocID027452 Rev 5 41/170 L9779WD Functional description 169 Capacitor legend: 1H 50 V 1E 25 V 1C 16 V X7R -40 to 125 °C ±15% K -40 to 125 °C ±10% Note: Others N-MOSFET can be used provided that they have similar threshold voltage and input capacitance; however regulator transient performances may have deviation to be checked. PCB layout Note: The Cin capacitor on VB line should be put as close as possible to the drain of external MOS. The suggestion PCB layout is as below. Figure 17. Circuit and PCB layout suggested V3V3 CV3V3 External V3V3 capacitor 1 µF - 10 µF C2012X7R1E105K--1 µF C1608X7R1C105K--1 µF C3216X7R1H105K--1 µF C3225X7R1E106K--10 µF C3225X7R1C106K--10 µF CP CP External charge pump capacitor -20% 100nF +20% - Table 13. Voltage regulators external components required (continued) Pin Symbol Parameter Min Typ Max Suggested part number |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
