| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN2386 bảng dữ liệu(PDF) 24 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN2386 bảng dữ liệu(HTML) 24 Page - STMicroelectronics |
|
24 / 30 page ![]() Some considerations on VTH and TVTC equations and real examples AN2386 24/30 It is possible see that by rearranging Ng, Na and tox the threshold voltage remains fixed and TVTC decreases in absolute value. Finally, the following graphs highlight the VTH and TVTC trend simulates a p-type gate doped MOS with Ng equal to 1e+21cm -3, N a is equal to 3e+16cm -3 and t ox is equal to 470Å. Figure 25. VTH simulated data considering a p-gate doped MOS Figure 26. TVTC simulated data considering a p-gate doped MOS The only difference with the n-type doped gate is that increasing the gate doping concentration, TVTC decreases in absolute value instead of increasing. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |