| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM8L052C6 bảng dữ liệu(PDF) 59 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM8L052C6 bảng dữ liệu(HTML) 59 Page - STMicroelectronics |
|
59 / 102 page ![]() STM8L052C6 Electrical parameters Doc ID 023331 Rev 1 59/102 Figure 8. Typ. IDD(RUN) vs. VDD,fCPU = 16 MHz 1. Typical current consumption measured with code executed from RAM 4. Oscillator bypassed (HSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for external crystal, the HSE consumption (IDD HSE) must be added. Refer to Table 28. 5. Tested in production. 6. The run from Flash consumption can be approximated with the linear formula: IDD(run_from_Flash) = Freq * 195 µA/MHz + 440 µA 7. Oscillator bypassed (LSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for extenal crystal, the LSE consumption (IDD LSE) must be added. Refer to Table 29. 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 2.75 3.00 1.8 2.1 2.6 3.1 3.6 VDD [V] -40°C 25°C 85°C ai18213V2 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |