| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F103XC bảng dữ liệu(PDF) 57 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F103XC bảng dữ liệu(HTML) 57 Page - STMicroelectronics |
|
57 / 118 page ![]() STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristics 57/118 5.3.9 Memory characteristics Flash memory The characteristics are given at TA = −40 to 105 °C unless otherwise specified. Table 29. Flash memory endurance and data retention Table 28. Flash memory characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max(1) 1. Values based on characterization and not tested in production. Unit tprog Word programming time TA = −40 to +105 °C 40 52.5 70 µs tERASE Page (2 KB) erase time TA = −40 to +105 °C 20 40 ms tME Mass erase time TA = −40 to +105 °C 20 40 ms IDD Supply current Read mode fHCLK = 72 MHz with 2 wait states, VDD = 3.3 V 28 mA Write mode fHCLK = 72 MHz, VDD = 3.3 V 7mA Erase mode fHCLK = 72 MHz, VDD = 3.3 V 5mA Power-down mode / Halt, VDD = 3.0 to 3.6 V 50 µA Vprog Programming voltage 2 3.6 V Symbol Parameter Conditions Value Unit Min(1) 1. Values based on characterization not tested in production. Typ Max NEND Endurance TBD(2) 2. TBD = to be determined. kcycles tRET Data retention TA = 85 °C, 1000 cycles 30 Years TA = 105 °C, 1000 cycles 10 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |