| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PSMN1R2-80ASE bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PSMN1R2-80ASE bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
8 / 13 page ![]() Nexperia PSMN1R2-80ASE N-channel, 80 V, 1.18 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212 package aaa-033260 -60 -30 0 30 60 90 120 150 180 0 0.6 1.2 1.8 2.4 Tj (°C) aa Fig. 12. Normalized drain-source on-state resistance factor as a function of junction temperature aaa-040969 0 50 100 150 200 250 0 2 4 6 8 10 QG (nC) VGS VGS (V) (V) 40 V 40 V VDS = 16 V VDS = 16 V 64 V 64 V Tj = 25 °C; ID = 25 A Fig. 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values 003aaa508 VGS VGS(th) QGS1 QGS2 QGD VDS QG(tot) ID QGS VGS(pl) Fig. 14. Gate charge waveform definitions aaa-040970 10-1 1 10 102 10 102 103 104 105 VDS (V) C C (pF) (pF) Ciss Ciss Coss Coss Crss Crss VGS = 0 V; f = 1 MHz Fig. 15. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values PSMN1R2-80ASE All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2024. All rights reserved Product data sheet 29 October 2024 8 / 13 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |