| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PHT2NQ10T bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PHT2NQ10T bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
8 / 12 page ![]() Philips Semiconductors PHT2NQ10T N-channel TrenchMOS transistor Product data Rev. 01 — 16 October 2001 8 of 12 9397 750 08918 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved. Tj =25 °C and 150 °C; VGS =0V ID = 2.5 A; VDD = 80 V, 20V Fig 13. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values. Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values. 03ag31 0 2 4 6 0 0.4 0.8 1.2 VSD (V) IS (A) Tj = 25ºC 150ºC VGS = 0 V 03ag33 0 3 6 9 12 15 02 46 8 QG (nC) VGS (V) ID = 2.5 A Tj = 25ºC VDD = 20 V VDD = 80 V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |