| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUT11AF bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT11AF bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
4 / 8 page ![]() Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT11AF Fig.9. Typical DC current gain. h FE = f(IC); parameter VCE Fig.10. Forward bias safe operating area. T hs ≤ 25 ˚C (1) P tot max and Ptot peak max lines. (2) Second breakdown limits. I Region of permissible DC operation. II Extension for repetitive pulse operation. III Extension during turn-on in single transistor converters provided that R BE ≤ 100 Ω and tp ≤ 0.6 µs. NB: Mounted with heatsink compound and 30 ± 5 newton force on the centre of the envelope. 0.01 0.1 1 10 100 IC / A h BUT11AX 100 10 1 FE 1V 5V 1 10 100 1000 100 10 1 0.1 0.01 tp = 10 us 100 us 1 ms 10 ms DC IC / A V / V ICM max IC max II I = 0.01 III 500 ms (1) (2) CE August 1997 4 Rev 1.000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |