| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUT11AF bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT11AF bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
5 / 8 page ![]() Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT11AF Fig.11. Typical base-emitter and collector-emitter saturation voltages. V BEsat = f(IC); VCEsat = f(IC); IC/IB = 5 Fig.12. Collector-emitter saturation voltage. Solid lines = typ values, dotted lines = max values. V CEsat = f(IB); parameter IC August 1997 5 Rev 1.000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |