| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NAND02G-B2C bảng dữ liệu(PDF) 43 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NAND02G-B2C bảng dữ liệu(HTML) 43 Page - STMicroelectronics |
|
43 / 62 page ![]() NAND01G-B2B, NAND02G-B2C DC And AC parameters 43/62 Figure 18. Equivalent Testing Circuit for AC Characteristics Measurement Table 22. DC Characteristics, 1.8V Devices Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit IDD1 Operating Current Sequential Read tRLRL minimum E=VIL, IOUT = 0 mA -8 15 mA IDD2 Program - - 8 15 mA IDD3 Erase - - 8 15 mA IDD5 Standby Current (CMOS)(1) E=VDD-0.2, WP=0/VDD - 10 50 µA ILI Input Leakage Current(1) VIN= 0 to VDDmax - - ±10 µA ILO Output Leakage Current(1) VOUT= 0 to VDDmax - - ±10 µA VIH Input High Voltage - VDD-0.4 - VDD+0.3 V VIL Input Low Voltage - -0.3 - 0.4 V VOH Output High Voltage Level IOH = -100µA VDD-0.1 - - V VOL Output Low Voltage Level IOL = 100µA - - 0.1 V IOL (RB) Output Low Current (RB) VOL = 0.1V 3 4 mA VLKO VDD Supply Voltage (Erase and Program lockout) - - - 1.1 V 1. Leakage current and standby current double in stacked devices Ai11085 NAND Flash CL 2Rref VDD 2Rref GND GND |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |