| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FAM65CR51AXZ2 bảng dữ liệu(PDF) 10 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FAM65CR51AXZ2 bảng dữ liệu(HTML) 10 Page - ON Semiconductor |
|
10 / 14 page ![]() FAM65CR51AXZ1, FAM65CR51AXZ2 www.onsemi.com 10 TYPICAL CHARACTERISTICS − MOSFETs 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 Figure 16. Gate Charge Characteristics Figure 17. ON−Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage Qg, GATE CHARGE (nC) ID, DRAIN CURRENT (A) 160 120 80 40 0 0 2 4 6 8 10 80 60 40 20 0 0.040 0.045 0.050 0.055 0.060 Figure 18. Safe Operating Area Figure 19. Peak Current Capability t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s) Figure 20. Peak Power t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec) VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V) RDS(on) Limit Thermal Limit Package Limit 1 ms 10 ms 100 ms 100 ms Single Pulse Limited IDM 291 A TC = 25°C For temperatures above 25°C Derate peak current as follows: I + I25 150 * Tc 125 NOTE: RqJC = 0.27°C/W Duty Cycle: D = t1/t2 Peak TJ = PDM x ZqJC(t) + TC VDD = 130 V VDD = 400 V TC = 25°C VGS = 10 V VGS = 20 V 10 ms TC = 25°C RqJC = 0.27°C/W Single Pulse 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 10 100 1000 0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 VGS = 10 V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |