| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD25LB64CSIS bảng dữ liệu(PDF) 59 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD25LB64CSIS bảng dữ liệu(HTML) 59 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
59 / 70 page ![]() 1.8V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash GD25LB64C 59 8. ELECTRICAL CHARACTERISTICS 8.1 POWER-ON TIMING Figure40. Power-on Timing Vcc(max) Vcc(min) VWI tVSL Chip Selection is not allowed Device is fully accessible Time Table6. Power-Up Timing and Write Inhibit Threshold Symbol Parameter Min Max Unit tVSL VCC (min) To CS# Low 1.8 ms VWI Write Inhibit Voltage 1 1.4 V 8.2 INITIAL DELIVERY STATE The device is delivered with the memory array erased: all bits are set to 1(each byte contains FFH).The Status Register contains 00H (all Status Register bits are 0). 8.3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Value Unit Ambient Operating Temperature -40 to 85 ℃ Storage Temperature -65 to 150 ℃ Transient Input/Output Voltage (note: overshoot) -2.0 to VCC+2.0 V Applied Input/Output Voltage -0.6 to VCC+0.4 V VCC -0.6 to 2.5 V Figure41. Input Test Waveform and Measurement Level Vss 20ns Maximum Negative Overshoot Waveform Maximum Positive Overshoot Waveform 20ns 20ns Vss-2.0V Vcc 20ns 20ns 20ns Vcc + 2.0V |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |