| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BDT61CF bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BDT61CF bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT61CF DESCRIPTION · High DC Current Gain · Low Saturation Voltage · Complement to Type BDT60CF · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 4 A ICP Collector Current-Peak 6 A IB Base Current-Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ 17 W Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 25 TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 5 ℃ /W Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 7.35 ℃ /W |
Số phần tương tự - BDT61CF |
|
Mô tả tương tự - BDT61CF |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |