| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BDT61CF bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BDT61CF bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT61CF ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0 120 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1.5A; IB= 6mA 2.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 4A ; VCE= 3V 2.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 30V; IE= 0 0.2 mA VCB=60V; IE= 0; TC= 150℃ 1.0 ICEO Collector Cutoff Current VCE= 60V; IB= 0 0.2 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 0.5A ; VCE= 3V 2000 hFE-2 DC Current Gain IC= 1.5A ; VCE= 3V 750 hFE-3 DC Current Gain IC= 4A ; VCE= 3V 1000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |