| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MDP9N50 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MDP9N50 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
1 / 6 page ![]() Dec 2009. Version 1.1 MagnaChip Semiconductor Ltd . 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 500 V Gate-Source Voltage VGSS ±30 V TC=25 oC 9.0 A Continuous Drain Current TC=100 oC ID 5.5 A Pulsed Drain Current (1) IDM 36 A TC=25 oC 120 Power Dissipation Derate above 25 oC PD 0.95 W W/ oC Peak Diode Recovery dv/dt (3) Dv/dt 4.5 V/ns Single Pulse Avalanche Energy (4) EAS 300 mJ Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55~150 oC Thermal Characteristics Characteristics Symbol Rating Unit Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1) RθJA 62.5 Thermal Resistance, Junction-to-Case (1) RθJC 1.05 oC/W MDP9N50 N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85Ω General Description The MDP9N50 uses advanced Magnachip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, high switching performance and excellent quality. MDP9N50 is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Features VDS = 500V ID = 9.0A @VGS = 10V RDS(ON) < 0.85 @VGS = 10V Applications Power Supply HID Lighting |
Số phần tương tự - MDP9N50 |
|
Mô tả tương tự - MDP9N50 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |