| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
110N10F7 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
110N10F7 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
|
1 / 15 page ![]() This is information on a product in full production. August 2014 DocID024004 Rev 4 1/15 STL110N10F7 N-channel 100 V, 0.005 Ω typ., 107 A, STripFET™ H7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package Datasheet - production data Figure 1. Internal schematic diagram Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent figure of merit (FoM) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET™ H7 technology with a trench gate structure combined with extremely low on- resistance. The device also offers ultra-low capacitances for higher switching frequency operations. 1 2 3 4 PowerFLAT™5x6 AM15540v2 5 6 7 8 12 3 4 Top View D(5, 6, 7, 8) G(4) S(1, 2, 3) Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STL110N10F7 100 V 0.006 Ω (VGS= 10 V) 107 A 136 W Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging STL110N10F7 110N10F7 PowerFLAT™ 5x6 Tape and reel www.st.com |
Số phần tương tự - 110N10F7 |
|
Mô tả tương tự - 110N10F7 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |