| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F413CH bảng dữ liệu(PDF) 112 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F413CH bảng dữ liệu(HTML) 112 Page - STMicroelectronics |
|
112 / 207 page ![]() Electrical characteristics STM32F413xG/H 112/207 DocID029162 Rev 2 6.3.9 Internal clock source characteristics The parameters given in Table 44 and Table 45 are derived from tests performed under ambient temperature and VDD supply voltage conditions summarized in Table 16. High-speed internal (HSI) RC oscillator L Figure 31. ACCHSI versus temperature 1. Guaranteed by characterization. Table 44. HSI oscillator characteristics (1) 1. VDD = 3.3 V, TA = –40 to 125 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit fHSI Frequency - - 16 - MHz ACCHSI HSI user trimming step(2) 2. Guaranteed by design -- - 1 % Accuracy of the HSI oscillator TA = – 40 to 125 °C(3) 3. Based on characterization –8 - 6.75 % TA = – 40 to 105 °C(3) –8 - 4.5 % TA = –10 to 85 °C(3) –4 - 4 % TA = 25 °C(4) 4. Factory calibrated, parts not soldered. –1 - 1 % tsu(HSI)(2) HSI oscillator startup time - - 2.2 4 µs IDD(HSI)(2) HSI oscillator power consumption - - 60 80 µA |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |