| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F412RG bảng dữ liệu(PDF) 106 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F412RG bảng dữ liệu(HTML) 106 Page - STMicroelectronics |
|
106 / 193 page ![]() Electrical characteristics STM32F412xE/G 106/193 DocID028087 Rev 4 6.3.9 Internal clock source characteristics The parameters given in Table 42 and Table 43 are derived from tests performed under ambient temperature and VDD supply voltage conditions summarized in Table 15. High-speed internal (HSI) RC oscillator L Figure 31. ACCHSI versus temperature 1. Guaranteed by characterization, not tested in production. Table 42. HSI oscillator characteristics (1) 1. VDD = 3.3 V, TA = –40 to 105 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit fHSI Frequency - - 16 - MHz ACCHSI HSI user trimming step(2) 2. Guaranteed by design, not tested in production -- - 1 % Accuracy of the HSI oscillator TA = –40 to 105 °C(3) 3. Based on characterization, not tested in production –8 - 4.5 % TA = –10 to 85 °C(3) –4 - 4 % TA = 25 °C(4) 4. Factory calibrated, parts not soldered. –1 - 1 % tsu(HSI)(2) HSI oscillator startup time - - 2.2 4 µs IDD(HSI)(2) HSI oscillator power consumption - - 60 80 µA |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |