| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SSM5G06FE bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM5G06FE bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
4 / 8 page ![]() SSM5G06FE 2014-03-01 4 SBD Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit VF (1) IF = 1 mA ⎯ 0.18 ⎯ V VF (2) IF = 5 mA ⎯ 0.23 0.30 V Forward voltage VF (3) IF = 100 mA ⎯ 0.35 0.50 V Reverse current IR VR = 12 V ⎯ ⎯ 22 μA Total capacitance CT VR = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 20 40 pF Precaution The Schottky barrier diode in this device has large reverse current leakage compared to typical switching diodes. Thus, excessive operating temperature or voltage may cause thermal runaway. To avoid this problem, be sure to take both forward and reverse loss into consideration. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |