| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE1512E bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE1512E bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 6 page ![]() ACE1512E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection VER 1.1 1 Description The ACE1512E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 8V. It is ESD protected. Features • V DS (V)=20V • I D=6.5A (VGS=4.5V) • R DS(ON) <21 mΩ (V GS=4.5V) • R DS(ON) <25 mΩ (V GS=2.5V) • R DS(ON) <33 mΩ (V GS=1.8V) • ESD Protected : 2000V Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Source Voltage VGSS ±8 V Drain Current (Continuous)*AC TA=25℃ ID 6.5 A TA=70℃ 5.2 Drain Current (Pulsed)*B IDM 24 A Power Dissipation TA=25℃ PD 1 W TA=70℃ 0.64 Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type TSOT-23-3 |
Số phần tương tự - ACE1512E |
|
Mô tả tương tự - ACE1512E |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |