| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SIR492DP bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Vishay Telefunken |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SIR492DP bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Vishay Telefunken |
|
5 / 14 page ![]() Document Number: 68840 S-82288-Rev. B, 22-Sep-08 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix SiR492DP New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.1 0.001 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.01 1 10 100 1.2 TJ = 150 °C TJ = 25 °C - 0.5 - 0.3 - 0.1 0.1 0.3 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250 µA ID = 5 mA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.000 0.004 0.008 0.012 0.016 0.020 012345 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C 0.001 0 1 50 20 30 10 600 0.1 Time (s) 10 40 100 0.01 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 0.01 100 1 100 0.1 1ms 10 ms 100 ms 0.1 1 10 10 TA = 25 °C Single Pulse 1s DC 10 s BVDSS Limited VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified Limited byRDS(on)* |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |