| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MSK1N3 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Bruckewell Technology LTD |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MSK1N3 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Bruckewell Technology LTD |
|
3 / 5 page ![]() MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET Publication Order Number: [MSK1N3] © Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014 Dynamic Characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min Typ. Max. Units CISS Input Capacitance VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1.0MHz -- 680 -- pF COSS Output Capacitance -- 144 -- pF CRSS Reverse Transfer Capacitance -- 137 -- pF Qg Total Gate Charge VDS = 10 V , ID = 6 A, VGS = 4.5 V -- 13.5 -- nC Qgs Gate-Source Charge -- 0.9 -- nC Qgd Gate-Drain Charge -- 5.4 -- nC td(on) Turn-On Dalay Time VDD = 10 V , ID = 1 A, VGEN = 4.5 V , RGEN = 6Ω RL = 10Ω -- 6 -- ns tr Rise Time -- 12 -- ns td(off) Turn-Off Dalay Time -- 65 -- ns tf Fall Time -- 35 -- ns Notes a. Pulse test: PW <= 300us duty cycle <= 2%. b. Guaranteed by design, not subject to production testing. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |