| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN2798 bảng dữ liệu(PDF) 28 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN2798 bảng dữ liệu(HTML) 28 Page - STMicroelectronics |
|
28 / 38 page ![]() PM6670AS evaluation tests AN2798 28/38 Latched thermal shutdown If the junction temperature rises up to 150 deg, the thermal protection circuit turns off the device and discharges the output rails by performing the non-tracking discharge soft-end. 8.9 VDDQ current limit The valley current limit avoids any high side turning on if the inductor current is higher than the programmed value. This current limit can be designed with the following equation: The current sensing is performed by comparing the voltage drop in the low-side MOSFET, during the TOFF period, with the voltage drop given by an injected current and the current limit resistor. Figure 31. VDDQ, VTT, VTTREF and inductor current, thermal shutdown, pulse-skip mode DSon LS ILIM CL R R I , 100µA x = DSon LS ILIM CL R R I , 100µA x = |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |