| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN2785 bảng dữ liệu(PDF) 33 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN2785 bảng dữ liệu(HTML) 33 Page - STMicroelectronics |
|
33 / 51 page ![]() AN2785 Induced turn-on phenomenon Doc ID 14785 Rev 1 33/51 b) By reducing the maximum dVOUT/dt. This reduction can be achieved by increasing the gate resistor value that limits the gate current for the turn ON of the power MOSFET. The drawback is a consequent increase of the switching time, which means dissipating more power during commutations. c) By using a MOSFET/IGBT with a lower Cgd/Cgs (or Cgc/Cge for IGBTs) ratio. This solution is not always the easiest, but it could be the best strategy when the induced turn ON phenomenon is dominant. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |