| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP413D bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Stanson Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP413D bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Stanson Technology |
|
1 / 10 page ![]() STP413D P Channel Enhancement Mode MOSFET - 12.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. STP413D 2009. V1 DESCRIPTION STP413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP413D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. PIN CONFIGURATION (D-PAK) TO-252 TO-251 PART MARKING Y:Year Code A:Perduce Code Q:Process Code FEATURE l -40V/-12.0A, RDS(ON) = 36mΩ (Typ.) @VGS = -10V l -40V/-8.0A, RDS(ON) = 52mΩ @VGS =-4.5V l Super high density cell design for extremely low RDS(ON) l Exceptional on-resistance and maximum DC current capability l TO-252,TO-251 package design |
Số phần tương tự - STP413D |
|
Mô tả tương tự - STP413D |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |