| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GP800FSS12 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GP800FSS12 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Dynex Semiconductor |
|
8 / 11 page ![]() GP800FSS12 Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures. 8/11 Fig.13 Diode typical forward characteristics Fig.14 Reverse bias safe operating area Fig.15 Forward bias safe operating area Fig.16 Transient thermal impedance 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Forward voltage, VF - (V) Tj = 125˚C Tj = 25˚C 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 0 200 400 600 800 1000 1200 Collector-emitter voltage, Vce - (V) Tcase = 125˚C Vge = ±15V Rg = 3.3Ω* *Recommended minimum value 1 10 100 1000 10000 1 10 100 1000 10000 Collector-emitter voltage, Vce - (V) IC max. (single pulse) t p = 1ms 0.1 1 10 100 1 10 1000 100 10000 Pulse width, tp - (ms) Diode Transistor |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |