| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F217VG bảng dữ liệu(PDF) 84 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F217VG bảng dữ liệu(HTML) 84 Page - STMicroelectronics |
|
84 / 173 page ![]() Electrical characteristics STM32F21xxx 84/173 Doc ID 17050 Rev 8 5.3.9 Internal clock source characteristics The parameters given in Table 29 and Table 30 are derived from tests performed under ambient temperature and VDD supply voltage conditions summarized in Table 11. High-speed internal (HSI) RC oscillator Figure 31. ACCHSI versus temperature Table 29. HSI oscillator characteristics (1) 1. VDD = 3.3 V, TA = –40 to 105 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit fHSI Frequency - 16 - MHz ACCHSI Accuracy of the HSI oscillator User-trimmed with the RCC_CR register(2) 2. Refer to application note AN2868 “STM32F10xxx internal RC oscillator (HSI) calibration” available from the ST website www.st.com. -- 1 % Factory- calibrated TA = –40 to 105 °C –8 - 4.5 % TA = –10 to 85 °C –4 - 4 % TA = 25 °C –1 - 1 % tsu(HSI) (3) 3. Guaranteed by design, not tested in production. HSI oscillator startup time -2.2 4 µs IDD(HSI) HSI oscillator power consumption -60 80 µA MS19012V2 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 -45 -35 -25 -15 -5 5 15 25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125 Temperature (°C) max avg min |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |