| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP60T03AS bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP60T03AS bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
4 / 4 page ![]() Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Switching Time Circuit Fig 12. Gate Charge Circuit AP60T03AS/P 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) PDM Duty Factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty Factor = 0.5 Single Pulse 0 3 6 9 12 0 6 12 18 24 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =20A V DS =16V V DS =20V V DS =24V 10 100 1000 10000 1 8 15 22 29 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz Ciss Coss Crss 0.5 x RATED VDS TO THE OSCILLOSCOPE - + 10V D G S VDS VGS RG RD 0.8 x RATED VDS TO THE OSCILLOSCOPE - + D G S VDS VGS ID IG 1~ 3 mA 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T C =25 o C Single Pulse 100us 1ms 10ms 100ms DC |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |