| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STRH40P10 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STRH40P10 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
|
6 / 18 page ![]() Electrical characteristics STRH40P10 6/18 Doc ID 18354 Rev 6 Table 8. Pre-irradiation source drain diode (1) 1. Refer to the Figure 16. Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit ISD ISDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) 34 136 A A VSD (3) 3. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 30 A, VGS = 0 1.1 V trr (4) Qrr (4) IRRM (4) 4. Not tested in production, guaranteed by process. Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 34 A, di/dt = 40 A/µs VDD= 12 V, TJ = 25 °C 276 345 4.1 316 414 ns µC A trr (4) Qrr (4) IRRM (4) Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 34 A, di/dt = 40 A/µs VDD= 12 V, TJ = 150 °C 473 7.1 133 ns µC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |