| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UT3406G-AE3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UT3406G-AE3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 3 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3406 Preliminary Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 3 Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-336.a N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT3406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and can be operated at low gate voltages. This device is perfect fit for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS (V) = 30V * ID = 3.6A (VGS = 10V) * RDS(ON) <65mΩ (VGS = 10V) * RDS(ON) <105mΩ (VGS = 4.5V) * Halogen Free SYMBOL ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package 1 2 3 Packing UT3406G-AE3-R SOT-23 S G D Tape Reel MARKING 346G |
Số phần tương tự - UT3406G-AE3-R |
|
Mô tả tương tự - UT3406G-AE3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |