| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UF3710L-TQ2-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UF3710L-TQ2-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 6 page ![]() UF3710 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R203-036.E ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge QG VDS=80V, ID=28A, VGS=10V 130 nC Gate Source Charge QGS 26 nC Gate Drain Charge QGD 43 nC Turn-ON Delay Time tD(ON) VDD=50V, ID=28A, RG=2.5Ω VGS=10V (Note) 12 ns Turn-ON Rise Time tR 58 ns Turn-OFF Delay Time tD(OFF) 45 ns Turn-OFF Fall-Time tF 47 ns SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS Diode Forward Voltage VSD IS=28A, VGS=0V (Note) 1.2 V Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS MOSFET symbol showing the integral reverse P-N junction diode. 57 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 230 A Body Diode Reverse Recovery Time trr IF=28A, dI/dt=100A/μs (Note) 140 220 ns Body Diode Reverse Recovery Charge QRR 670 1010 nC Note: Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |