| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UF730L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UF730L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 6 page ![]() UF730 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-077.E ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS = 0V, ISD = 5.5A, 1.6 V Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS 5.5 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 22 A Reverse Recovery Time tRR 140 300 660 ns Reverse Recovery Charge QRR ISD = 5.5A, dISD/dt = 100A/μs (Note 3) 0.93 2.1 4.3 μC Notes: 1. Repetitive Rating : Pulse width limited by TJ 2. L = 20mH, IAS = 5.5A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, Starting TJ = 25°C 3. Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% 4. Essentially independent of operating temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |