| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SBP1710-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SBP1710-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd |
|
1 / 6 page ![]() SB SB SB SBP1710-R P1710-R P1710-R P1710-R Rev.A01 Jun.2011 Copyright@WinSemi Semiconductor Co., Ltd., All right reserved. High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features ■ Very high switching speed ■ High Voltage Capability ■ Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Test Conditions Value Units VCBO Collect-Emitter Voltage VBE=0 900 V VCEO Collector-Emitter Voltage IB=0 500 V VEBO Emitter-Base Voltage IC=0 7 V IC Collector Current 7 A ICP Collector pulse Current (Note) 14 A PC Total Dissipation at Tc=25℃ 45 W TJ Operation Junction Temperature 150 ℃ TSTG Storage Temperature -55~150 ℃ T111-3 |
Số phần tương tự - SBP1710-R |
|
Mô tả tương tự - SBP1710-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |