| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
H7N1002LS bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
H7N1002LS bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
3 / 9 page ![]() H7N1002LD, H7N1002LS, H7N1002LM Preliminary REJ03G1131-0800 Rev.8.00 Nov 13, 2009 Page 3 of 8 Main Characteristics Case Temperature Tc (°C) Power vs. Temperature Derating Drain to Source Voltage VDS (V) Maximum Safe Operation Area Gate to Source Voltage VGS (V) Typical Transfer Characteristics Drain to Source Voltage VDS (V) Typical Output Characteristics 200 0 0 100 150 50 100 150 200 50 02 46 8 10 3.4 V 50 3.6 V 50 20 40 0 10 30 0123 4 5 –25°C 25°C Tc = 75°C VDS = 10 V Pulse Test Pulse Test VGS = 3 V 10 30 20 0 40 0.10.31 3 30 10 100 300 1000 300 100 30 10 3 0.3 0.1 0.03 1 Ta = 25°C DC Operation (Tc = 25°C) PW = 10 ms (1shot) 1 m s 100 μs 10 μs Operation in this area is limited by RDS(on) Drain Current ID (A) Static Drain to Source on State Resistance vs. Drain Current Gate to Source Voltage VGS (V) Drain to Source Saturation Voltage vs. Gate to Source Voltage 220 50 5 50 0.5 10 200 10 1 2 5 20 100 VGS = 4.5 V 10 V Pulse Test 0 5 10 15 20 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 4 V ID = 50 A 20 A 10 A Pulse Test 10 V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |