| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TPA2017D2RTJR bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Texas Instruments |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TPA2017D2RTJR bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Texas Instruments |
|
2 / 20 page ![]() Interface & Control INL+ INL- AGC1 VoutL + VoutL - EN INR+ INR - AGC2 Class-D Modulator Volume Control Differential InputLeft CIN 1 F m Differential InputRight 1 F m Control Interface ICenable Power Stage AGC Reference Volume Control Power Stage VoutR + VoutR - AGND PGND Biasand References AVDD PVDDR PVDDL AGC Class-D Modulator CIN INL- INR+ INL+ INR- AGND AVDD PVDDL PVDDR 1 5 6 10 11 15 16 20 PVDDR PVDDL TPA2017D2 SLOS584 – APRIL 2009 ..................................................................................................................................................................................................... www.ti.com These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates. FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM DEVICE PINOUT RTJ (QFN) PACKAGE (TOP VIEW) 2 Submit Documentation Feedback Copyright © 2009, Texas Instruments Incorporated Product Folder Link(s): TPA2017D2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |